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正在讲述他们遇到的问题：“我们现在是采用气体喷射的方式用激光轰击靶材料产生等离子体，等离子体发euv辐射，euv辐射经过由周期性多层薄膜反射镜组成的聚焦系统入射到反射掩模上．射出的euv光波再通过反射镜组成的投影系统，将反射掩模上的集成电路的几何图形成像到硅片上的光刻胶中，从而形成集成电路所需要的光刻图形。”
“理论上，这个过程没有问题。”何星舟点点头。
“但问题在于如何在提高euv光源瓦数的同时，降低等离子气氛中微粒、高速粒子和其它污染物。”严蕊头疼道，“不然光源就会迅速恶化。还有，极紫外投影光刻系统使用了反射式掩模。”
“我们的euv掩膜缺陷仍高达ldefect／c。@精华书阁