一 伽罗篇 八十 反接双结字符组合（五）(2/3)
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"集键区"与"发射区"之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为，并且串联一个"阻"字符，起到分压作用；再将这两个回路于"发射区"后端媾合，共地相连，则"发射区"后端的元流为Ia与Ib的和。
“这种使用形式在"反接双结字符组合"中极为常见，可以叫做"共发射区回路模式"，图示如下…
“"反接双结字符组合"的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：
“调整回路，使得元压大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压的差值大于"上方结"的反向偏置元压，则"上方结"呈反向导通状态，"下方结"呈正向导通状态。
“前面说过，"基区"很薄且热掺杂率很小，则"下方结"中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入"基区"，只有很小一部分填补进空穴；
“而"上方结"由于是反向导通状态，与"下方结"的元流方向相同，所以两个"键穴结"中的键子迁移方向也相同，在适当元压的作用下，"下方结"中的大量多余键子便会穿过"基区"，进入到"上方结"中。
“如前所述，这种键子迁移作用是晶体内部元流的一种可能形式，而且键子迁移作用越高，内部元流也就越大。
“从"下方结"到"上方结"的键子迁移形成的元流，与"上方结"中本身存在的反向饱和元流加在一起，便是"共发射区"回路模式中，第二个回路的输出元流。
“在这种情况下，由于"下方结"中的大量键子进入到第二个回路当中，第一个回路中的键子迁移作用便明显很少，根据回路中元压值的设置，以及上述"键穴结"的思想，可以近似认为，第一个回路中的元流只由少量键子与少量空穴结合产生，而且"下方结"中的少量键子填入"基区"空穴后，又在外加元压Va的作用下，源源不断流出"下方结"，"下方结"的空穴便也源源不断出现，从而持续驱动整个回路，使得总体的键子迁移作用持续下去。
“"上方结"中的反向饱和元流极小，在计算中可以忽略，则元流Ib可近似为从"下方结"到"上方结"的大量键子迁移，而元流Ia是"下方结"中的少量键子迁移，元流Ia与Ib之间近似拥有一种比例关系，即Ib=α*Ia，这个α，便是"反接双结字符组合"中的"元流放大系数"。”
“当然，不同形式的"反接双结字符组合"在实际使用中，拥有不同的"元流放大系数"，归根结底却只是"结"字符绘制形式的不同，在"键穴结"思想中，"元流放大系数"也受到三段晶体的厚度与热掺杂率的影响，从而出现不同的数值。
“上述部分是"反接双结字符组合"的基础，可以看到，其输入元压是直流形式、内部元流也固定不变，可以称为"反接双结字符组合"的"静态工作点"。
“在魔法阵学中，输入的元力都是波动的，具有一定频率的带宽，在数论思想上，可以将其分解为线性叠加的两部分——即具有一定幅度的直流成分，以及与坐标横轴上下对称的交流成分。
“根据法神大人的"元力频率理论"，元力中的直流成分代表着元力强弱，而交流成分才是区分元力的重心，你应该知道，"容"字符具有隔绝直流成分、无损传输交流成分的特性，所以在实际阵法之中，一般会在输入元流与"反接双结字符组合"之间，串联一个适当大小的"容字符"。
“当输入元流的交流成分进入"反接双结字符组合"之后，会首先与回路中的固有元流——Ia叠加，当Ia大小超过交流成分峰值时，回路中的元流虽然具有波动性，却始终为正值，满足元流放大作用的先决条件
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