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院士他们发现ASML向世界专利局申请的浸没式光源系统的公司发明专利，其中134nm激光光源使用纯净水作为浸没介质的技术路径，侵犯了我们正在申请之中的浸没式光源系统专利。”
正在鹏城总部召开鹏城证券公司股东大会的孙健接到魏建国的电话。
去年12月11-13日，日本半导体展(SEMICONJapan)召开，ASML正式推出浸没式光刻机的原型机，在ASML的实验室验证其制程工艺达到65nm，宣称拥有完全自主知识产权。
“董事长，ASML向世界专利局申请的浸没式光源系统的公司发明专利，被BSEC提起了专利异议，其中134nm激光光源使用纯净水作为浸没介质的技术路径，侵犯了BSEC还在申请之中的浸没式光源系统专利，一旦侵权成
立，ASML提出的浸没式光源系统专利申请就会被停止，即使能得到BSEC的专利授权，也要等BSEC拿到浸没式光源系统专利，XT1400浸没式光刻机的量产将会无限期延长。”
林本坚接到ASML总裁普拉多的电话后，心里一沉，立马向张仲谋汇报。
台积电去年7月就向ASML预定了20台65nm制程工艺的浸没式光刻机(命名为XT1400i浸没式光刻机)的同时，为了赶时间，一条65nm制程工艺半导体生产线的基建工作就开始建设，XT1400浸没式光刻机原计划今年
三月开始生产，8月就能到货，进入设备安装阶段，明年3月就能试生产，只比其他采用65nm制程工艺的BSEC浸没式光刻机半导体生产线晚半年左右。
“浸没原理不是林工2002年在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会提出来的吗?ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射，得到了波长134nm的光源，如今大家都知道纯净水作为光源介质的路径，BSEC什么时
候申请浸没式光源系统专利的?”
张仲谋面色阴沉，立马认识到了问题的严重性，计划投资18亿美元提前开工的半导体生产线遇到***烦了!
国际公司发明专利申请一般需要18个月的时间，一旦BSEC不给ASML授权，ASML需要重新寻找新的浸没介质替代纯净水，一年内很难完成研制，等拿到公司发明专利，也许BSEC的40nm浸没式光刻机都研发成功了。
张仲谋心里明白，等林本坚和ASML发现BSEC申请了纯净水作为浸没介质的专利已经来不及了，只能硬着头皮继续研究，等有结果后再说。