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至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。
这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。
工序更少、工艺更简单、良品率更高
对于量产来说，这些特么可都是钱呐！
而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。
MOS技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。
在同代次内，更改MOS电路的设计，对于MOS的工艺没有任何影响，MOS电路的性能的改变，是通过改变MOS场效应管的几何设计来实现的。
双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是MOS电路就不，它的工艺是不变的。
而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了MOS集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。
除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、超大规模集成电路上走不远。
——它做不小！但是MOS可以！
这个情况的原因很多。
一来，MOS管子的面积天生就比双极型要小。
二来，双极型晶体管需要隔离PN结或者隔离井，MOS不需要。
第三，MOS天生就提供了两层互连，这让它的内部布线更为方便。
MOS的这么多优点，又带来了一些系统级别的衍生好处，诸如系统性能更高、设计可预测性更好、可靠性和维护性更好等等。
有趣的是，实际上MOS场效应管概念的提出，要比双极型管子早，之所以普及更晚，是受工艺的制约。
这就好像汽车，电动车的概念比蒸汽车、内燃车更早，那是十九世纪末期的事情，但是真正大规模实用，都特么二十一世纪了。
但是工艺这个问题，对高振东来说，问题就不是太大了，他能抄啊！
思前想后，高振东下定了决心：直接跨一大步，就搞MOS！
至于双极型的，就留给其他厂所的同志去搞吧，我直接带1274厂起飞！
为了国内计算机技术未来的发展，他愿意承担这个责任和风险，穿都穿了，在这种为了国家、社会层面的巨大利益，该搏一把、该承担责任的时候还畏首畏尾，那就没意思了。
对于60年代初这个时间段来说，高振东没穿，没人搞MOS，高振东穿了，还是没人搞MOS，那高振东特么不白穿了嘛。
高振东下定了决心，开始落实这个事情。
他给1274厂打了个电话，告诉他们自己已经确定了集成电路工艺研究调整的方向，然后开始根据集成电路工程工艺这本书里的内容，编制MOS技术的工艺设计指导文件。
设计指导文件，指导1274厂怎么设计MOS技术的各道工艺的，而不是直接把工艺写出来，也没法写出来，这个不是高振东要负责的事情。
对于1274厂来说，有了这个工艺设计指导文件，他们就
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