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大国军工:打造最强侧卫

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第123章 多重曝光技术 遥遥领先(1/2)
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    跟着何振华干活的,不光有贾鹏飞等人,还有eda软件后端物理设计组杨博超组内的人员。

    后端物理设计,跟芯片制程息息相关,而整个eda软件设计的最终结果,并不是芯片图纸,而是掩膜版图纸的导出。

    小赵老师很不想何教授日子过舒坦,希望他在工艺探索上,为芯能加工厂再加把力气。

    在制造车间,赵国庆拿出两张纸。

    他指着放在桌面上的纸对何教授说:“这是待曝光的晶片,我手上的是掩膜板。”

    赵国庆把掩膜版放到晶片上面,仿着光刻的路线,在下面纸上画一条线。

    “这一面曝光60%”

    又把掩膜版放到另一边,在下面的纸上画一条线。

    “另一面曝光60%”

    两条线之间,一条细长的线,被赵国庆用折线拉出来,上面标注着:“曝光120%。”

    啥意思,何振华有点懵,曝光120%,那就是完全曝光了,而旁边未完全曝光的光刻胶还在起着保护作用。

    何振华意识到,这么简单的一张图,有着了不得的东西,他疑惑的问:“国庆,这……什么意思?”

    赵国庆在那条缝隙上了一个无穷小的标记,对何振华说:“你品,你细品!”

    何振华目光渐渐从疑惑变得清明,他的呼吸有些粗重起来。

    简简单单一幅画,直接把光衍射这个桎梏给打破了。

    何振华语气急促,面色因兴奋而露出潮红,说:“通过多重不均匀曝光,我们可以探索更先进的制程!”

    赵国庆看着何振华,也不知道说什么了,反应有点慢啊,也不知道他能不能胜任。

    赵国庆说:“怎么样,有没有兴趣?”

    何振华一脸难以置信的看着赵国庆,说:“你这家伙,肚子里还有多少货,就不能一次性倒出来!”

    赵国庆笑道:“倒出来有用吗?你们清大微电子连光刻胶都涂不匀,那光刻机,我都懒得说,都八十年代了,还用手动校准,曝光过程中,你们没办法精准测量,60%这个精准度,你们能做到吗?”

    何振华很不服气,说:“再怎么说,我们也解决了一微米制程,intel去年发布的386还是一点五微米的制程,比我们还落后一代!”

    “你就自嗨吧!”赵国庆摇摇头说:“人家是商用化制程,良品率不在90%以上,你那个一微米最多是实验室制程,一片晶圆只有一两块芯片能用的,良品率是个位数,四舍五入趋向于于零的那种。”

    即便是芯能现在也能造一微米的芯片,但跟intel的一点五微米还不能比。

    cpu结构中寄存器、缓存、逻辑运算单元……制造的晶体管类型都不一样,整个过程需要几十道工序,能曝光十几次,蚀刻数次,还能达到九成的良品率,这工艺已经远超我们了。

    再加上intel在芯片设计、制造上面的积累,人家一点五微米的支持,集成的晶体管还超过我们一微米制程的芯片。

    “要认识差距,不能自嗨,何教授,路子给你了,我看好你,你一定会成功的!”

    “……”

    “我可以写这方面的论文吗?”

    赵国庆点点头说:“是你研究的,当然可以,不过二作、三作、通讯作者什么的,带带你的学生,有条件的话,给他们弄一张清大的研究生学历什么的?毕竟现在人都看中这些!”

    何振华说:“那你的,赵所长,我记得你现在还是学士吧!”

    赵国庆拉着何振华的手说:“何教授,要不你也顺道带带我吧,帮我也弄一张清大的研究生学历,你来当我的导师?”

    “……”

    何振华脸红的跟屁股一样,逃似的出了门。

    赵国庆在后面喊道:“
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