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【额外奖励！】
【恭喜宿主完成隐藏任务：登上热搜榜第一名，获得特殊奖励——】
【U3高速读写TF内存卡生产图纸一张，品质：良好（B级），可下载。】
【3DNAND(多层数存储的闪存类型)——CJiang架构专利技术，品质：优秀（A级），可下载。】
竟然还有隐藏奖励。
莫燃微微一愣，随即注意力转移到眼前的两个奖励上来。
不过，看到第一个奖励时他情不自禁的摇头笑了笑。
竟然奖励了一个TF内存卡的生产图纸。
他是知道的，最近因为“尼采X1”的出现，网络上引起了不少关于TF内存卡的争论。
而“尼采X1”作为一款“可扩展TF内存卡”的手机，自然被卷入这场旋涡，成为TF内存卡的代言人。
甚至，这些天他也在考虑要不要出厂时每部手机赠送一块内存卡。
没想到现在系统竟然给了他一份TF内存卡的生产图纸，这难道是在预示着让尼采进军TF内存卡界？
自产自销？
倒也不是不可以。
略微感慨的笑了笑，不过等他看到第二个奖励时，有些懵了。
首先。
3D-NAND是什么？
莫燃也没着急，随即退出系统在网络上搜索了一下。
原来。
3D-NAND是一种新兴的闪存类型（存储类型）。
传统的内存卡大多是使用2D-NAND的方式，也就是通过2D平面的方式将内存颗粒有序排列，最终制造生产成为一张张比如2GB、4GB、8GB的内存卡。
2D平面结构的设计导致空间比较小，内存卡的储存容量也就相应比较小，经过这么多年研发后2D-NAND方案已经基本达到了扩展极限。
而3D-NAND则不同了。
简单的说。
3D-NAND是一种全新的闪存设计理念，将以前的2D平面设计变成3D设计，从而可以在平面上不断的增加层数、增加内存晶片的数量，从而制造出更大容量的内存卡。
就好比以前的2D是一栋栋小平房，
现在的3D则是在小平房上盖起三四十楼的高楼大厦一样，储存的容量加大，读写速度加快、耐用性大幅度提高，甚至，每千兆字节的成本也大幅下降。
最令莫燃惊喜的是，
放眼全球，
“3D-NAND”闪存设计也就仅仅只有三星电子、英特尔和全球最大的半导体储存制造商——镁光有一点点成果！
而国内！
“3D-NAND”新一代闪存芯片完全是一片空白！
可以说，
如果第一个奖励是让尼采公司可以利用生产图纸生产一款“U3高速读写的TF卡”。
那么，第二个奖励，
无疑是让尼采获得了全球最新“3D-NAND”闪存下的“Cjiang架构专利技术”。
接下来，尼采完全可以组建研发团队，利用“Cjiang架构”大力研发出更多3D-NAND的新兴储存产品！
比如TF内存卡、比如U盘，比如固态硬盘！
甚至。
完全可能成为镁光、三星、西部数码这些大型国际厂商的竞争对手，弥补国产厂家在内存卡、固态硬盘上长期的空白！
这是拿到了内存芯片行业的入场券了呀。
莫燃重重地呼出一口气，再次看了看这次抽到的三个技术。
BTC操作系统，
U3高速读写TF内存卡，
3D-NAND——CJiang架构专利技术！
片刻后，
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